Planar Magnetrona izstarošanas mērķa struktūra pārklāšanas iekārtām

Pārklājuma iekārtas planarā magnetrona iztvaikošanas mērķa struktūra faktiskajā gadījumā sākotnējais elektronu ātrums nav nulle, un elektroni neietilpst lineāro gar elektrisko lauku pret anodu, bet drīzāk veiciet cikloīdu kustību zem taisnleņķa elektromagnētisko lauku iedarbība. Tas ievērojami palielināja sadursmes varbūtību ar gāzes molekulām un uzlaboja argona gāzes jonizācijas ātrumu. Lielāks skaits argona jonu tiek ražoti, lai bombardētu mērķi, palielinot izsmidzināšanas ātrumu. Izkliedēšanas ātrums ir apmēram 10 reizes lielāks nekā DC divu stabu izsmidzināšana. Daudziem mērķiem spiediena ātrums ir sasniedzis elektronu staru iztvaikošanas ātrumu, kas ir liels progress katoda izsmidzināšanas tehnoloģijā. Tas var saīsināt nogulsnēšanas laiku un uzlabot ražošanas efektivitāti.

Paralēlās mērķa virsmas magnētiskā lauka komponents nav vienveidīgs. Vietā, kur magnētiskais lauks ir visspēcīgākais, magnētiskā lauka paralēlā mērķa virsma ir vislielākā, un elektromagnētiskie lauki ir visvairāk ierobežojošie spēki elektroniem. Tāpēc elektronu blīvums šajā diapazonā ir vislielākais, un ir vislielākā sadursmes varbūtība ar jonizāciju ar argonu. Spīduma intensitāte ir vislielākā, un visaugstākā spīduma intensitāte ir ļoti spēcīga (taisnstūra vai apļveida) gredzens uz mērķa virsmas. Šajā reģionā tiek ražots lielākais argona jonu daudzums, un jo lielāks ir katoda spiediens uz mērķi. Mērķa materiāls šajā apgabalā ir ātri iegravēts, un mērķa materiāls netiek vienmērīgi iztērēts un parādās depresijas. Magnētiskā plūsma tieši iet caur mērķa virsmu, un uz "mērķa virsmas" radītā magnētiskā plūsma nosaka "magnētisma" pakāpi. Pēc vairāku izsmidzināšanas mērķa materiāls kļūst plānāks, magnētiskais plūsmas palielinājums un izsmidzināšana ir vieglāk.

Šis pozitīvo atsauksmju process samazina mērķa izmantošanu. Vērtīgajam mērķim plāna magnetrona mērcēšanas mērķa zemais izmantošanas līmenis ir plaknes magnetrona izsmidzināšanas mērķa trūkums.